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HelloAs我们可以提供送货(应要求技术要求)单晶高电阻中子掺杂硅(NTD)。从铸锭的直径的杂质的原子的分布的均匀性的偏差因而不超过3-5%。根据其定义中子,使得从15至6000欧姆度掺杂的比电阻/见寿命时间不充电的基本载体从而超过100&ampmicros。对应的商品产物,而由权利要求的产品的高电压电气工程师和电子产品制造商从1500 V 4500 V的压力,并在直流电流至1500 A.对于双极型晶体管(绝缘栅双极型晶体管)与分离的快门的,不同高速,夹杂物&ampndash deenergizings,在一个电流,小尺寸,高的密度的高受理的小的时间????坚定性。一种用于制造商的企业产品电源整流器和基本二极管,双极晶体管,器件与????????通信,stabilitrons,tiristorov,光敏器件。到硅中,通过一种方法接收要求zonnoi的游泳裤,中子掺杂(FZ-NTD)出超硅,单晶,而不坩埚,锭取向:(111)最大,1度N型的偏差,具体的NTDDisorder上半径的5%的电阻电阻+ 7%障碍无生命的cutTime ??? 300 - 500&ampmicrocLimiting氧的浓度为1×10 16 ?? / ?? 3Limiting碳的浓度为2×10 16 ?? / ?? 3Length锭:100 mmResistance和锭直径varies.Resistance:30,45,50? ,60%,70%,90,100,130,150,180,200,220,250,300,350欧姆/ smDiameter:44 60 76.5 80个100 mm.Ingots可以是研磨或不研磨上形成(通过请求) 。如果你把它的利益,请与我们联系。女婿和最诚挚的问候。阿纳托利·尼古拉耶维奇。 - 最佳*的*:*-*@********************