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HelloAs我们可以提供送货（应要求技术要求）单晶高电阻中子掺杂硅（NTD）。从铸锭的直径的杂质的原子的分布的均匀性的偏差因而不超过3-5％。根据其定义中子，使得从15至6000欧姆度掺杂的比电阻/见寿命时间不充电的基本载体从而超过100＆ampmicros。对应的商品产物，而由权利要求的产品的高电压电气工程师和电子产品制造商从1500 V 4500 V的压力，并在直流电流至1500 A.对于双极型晶体管（绝缘栅双极型晶体管）与分离的快门的，不同高速，夹杂物＆ampndash deenergizings，在一个电流，小尺寸，高的密度的高受理的小的时间????坚定性。一种用于制造商的企业产品电源整流器和基本二极管，双极晶体管，器件与????????通信，stabilitrons，tiristorov，光敏器件。到硅中，通过一种方法接收要求zonnoi的游泳裤，中子掺杂（FZ-NTD）出超硅，单晶，而不坩埚，锭取向：（111）最大，1度N型的偏差，具体的NTDDisorder上半径的5％的电阻电阻+ 7％障碍无生命的cutTime ??? 300 - 500＆ampmicrocLimiting氧的浓度为1×10 16 ?? / ?? 3Limiting碳的浓度为2×10 16 ?? / ?? 3Length锭：100 mmResistance和锭直径varies.Resistance：30，45，50？ ，60％，70％，90，100，130，150，180，200，220，250，300，350欧姆/ smDiameter：44 60 76.5 80个100 mm.Ingots可以是研磨或不研磨上形成（通过请求） 。如果你把它的利益，请与我们联系。女婿和最诚挚的问候。阿纳托利·尼古拉耶维奇。 - 最佳*的*：*-*@********************